1957年，美国海关私吞了中国女人行李箱里面的6800美金，她却开心地笑了，殊不知海关的这一行为，导致美国重大损失。
1957年1月6日，林兰英从旧金山乘威尔逊总统号轮船离美。海关检查时，没收现金，以违反外汇管制为由。官员忽略药瓶内容。她带回的材料不足100克，包括硅和锗粉末。这些材料成为中国半导体起步基础。她抵达后，将样品交给团队，作为种子晶使用。实验室设在旧仓库，条件艰苦。没有氩气保护，采用抽真空方法。测温设备不足，用体温计绑在石英管上估量温度。
1957年11月，团队拉制出中国第一根锗单晶。林兰英指导晶体生长过程，确保纯度。她传授从美国学到的研发方法，包括晶体缺陷控制和纯化技巧。1958年，使用带回硅单晶做籽晶，拉制出第一根硅单晶，纯度达99.9%。中国成为继美国和德国后第三个掌握硅单晶技术的国家。这比国外预测提前10年。她继续推动区熔技术研究。1963年，研制出纯度99.99999%的区熔硅单晶，用于高纯度需求领域。
林兰英主持硅外延材料研制，应用于原子弹开发中。她开发砷化镓单晶，为航天通信提供材料基础。团队合成砷和镓，处理爆炸风险，拉制成功。1980年代，她组织返回式卫星上半导体材料空间生长试验。1987年8月，卫星发射，使用降温凝固法，生长出直径1厘米砷化镓单晶。样品分析显示杂质条纹消失。1990年，进行半绝缘砷化镓试验，再次成功。她获得中国科学院科技进步一等奖和国家科技进步三等奖。
她的贡献不止于材料制备，还包括人才培养。她在中国科学院半导体研究所工作，培训首批专业人员。这些人员后来成为行业骨干。她强调科学家有祖国归属感。被没收的6800美元，与她推动中国半导体自主进程相比，显得微小。美国海关行为无意中助长了中国科技发展。她被称为中国半导体材料之母和航天材料之母。她的工作奠定中国在该领域的基础，避免依赖进口。
林兰英的研究推动中国半导体产业从零起步，到逐步赶超。早年在美国积累的专利和技术，直接转化为国内应用。她参与的硅单晶技术，用于电子器件制造。砷化镓材料支持激光和微波器件发展。空间生长试验开拓材料科学新方向。这些成就源于她回国后的坚持努力。中国半导体研究从仓库起步，到建立专业实验室，体现了资源有限下的创新。
她一生致力于半导体物理和制备研究。发表多篇论文，指导多项国家项目。她的方法论影响后续世代科学家。2003年3月4日，她在北京逝世，享年85岁。她的遗产继续在半导体领域发挥作用。中国如今的芯片产业基础，部分源于她带回的那些粉末。
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